Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18ANR27J80D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 270nH, Nennstrom 260mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.42Ω, Gehäusegröße SMD,1.7x0.9mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18ANR27J80D.
LQW18ANR27J80D hat eine Induktivität von 270nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18ANR27J80D ist für 260mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18ANR27J80D hat einen DC-Widerstand von 2.42Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18ANR27J80D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,1.7x0.9mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 270nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 260mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.42Ω |
| Gehäuse / Größe | SMD,1.7x0.9mm |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,1.7x0.9mm |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 270nH, ±5%, Rated current: 260mA, Case: SMD,1.7x0.9mm |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |