Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18ANR33G80D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330nH, Nennstrom 190mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.84Ω, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18ANR33G80D.
LQW18ANR33G80D hat eine Induktivität von 330nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18ANR33G80D ist für 190mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18ANR33G80D hat einen DC-Widerstand von 3.84Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18ANR33G80D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 190mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.84Ω |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 330nH, ±2%, Rated current: 190mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |
| Q bei Frequenz | 25 Min @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1100MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100MHz |