Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18AS82NG0ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82nH, Nennstrom 400mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 540mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18AS82NG0ZD.
LQW18AS82NG0ZD hat eine Induktivität von 82nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18AS82NG0ZD ist für 400mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18AS82NG0ZD hat einen DC-Widerstand von 540mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18AS82NG0ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 400mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 540mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 82nH, ±2%, Rated current: 400mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |