Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18ASR11G00D von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 110nH, Nennstrom 300mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 610mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18ASR11G00D.
LQW18ASR11G00D hat eine Induktivität von 110nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18ASR11G00D ist für 300mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18ASR11G00D hat einen DC-Widerstand von 610mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18ASR11G00D verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 110nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 300mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 610mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 110nH, ±2%, Rated current: 300mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |