Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18ASR20J0ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 200nH, Nennstrom 200mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.98Ω, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18ASR20J0ZD.
LQW18ASR20J0ZD hat eine Induktivität von 200nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18ASR20J0ZD ist für 200mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18ASR20J0ZD hat einen DC-Widerstand von 1.98Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18ASR20J0ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 200nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 200mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.98Ω |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 200nH, ±5%, Rated current: 200mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |