Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18ASR25G0ZD von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 250nH, Nennstrom 120mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.55Ω, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18ASR25G0ZD.
LQW18ASR25G0ZD hat eine Induktivität von 250nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18ASR25G0ZD ist für 120mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18ASR25G0ZD hat einen DC-Widerstand von 3.55Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18ASR25G0ZD verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 250nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 120mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.55Ω |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 250nH, ±2%, Rated current: 120mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |