LogoMagdir

LQW18FT1R2K0HL

muRata

SMD,1.6x0.9
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18FT1R2K0HL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2uH, Nennstrom 560A, Gleichstromwiderstand (DCR) 370mΩ, Gehäusegröße SMD,1.6x0.9. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2uH
Nennstrom
560A
DC-Widerstand (DCR)
370mΩ

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18FT1R2K0HL.

Induktivität
1.2uH

LQW18FT1R2K0HL hat eine Induktivität von 1.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
560A

LQW18FT1R2K0HL ist für 560A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
370mΩ

LQW18FT1R2K0HL hat einen DC-Widerstand von 370mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,1.6x0.9

LQW18FT1R2K0HL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,1.6x0.9. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LQW18FT1R2K0HL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität1.2uH
Toleranz±10%
Nennstrom560A
DC-Widerstand (DCR)370mΩ
Gehäuse / GrößeSMD,1.6x0.9
Gehäuse / AusführungSMD,1.6x0.9
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 1.2uH, ±10%, Rated current: 560A, Case: SMD,1.6x0.9
Typ / AufbauChip Inductor

Vorschau