Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW18FT1R2K0HL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2uH, Nennstrom 560A, Gleichstromwiderstand (DCR) 370mΩ, Gehäusegröße SMD,1.6x0.9. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW18FT1R2K0HL.
LQW18FT1R2K0HL hat eine Induktivität von 1.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW18FT1R2K0HL ist für 560A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW18FT1R2K0HL hat einen DC-Widerstand von 370mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW18FT1R2K0HL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,1.6x0.9. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2uH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 560A |
| DC-Widerstand (DCR) | 370mΩ |
| Gehäuse / Größe | SMD,1.6x0.9 |
| Gehäuse / Ausführung | SMD,1.6x0.9 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 1.2uH, ±10%, Rated current: 560A, Case: SMD,1.6x0.9 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
