Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW21FTR82M0HL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820nH, Nennstrom 700mA, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW21FTR82M0HL.
LQW21FTR82M0HL hat eine Induktivität von 820nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW21FTR82M0HL ist für 700mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW21FTR82M0HL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 700mA |
| Sättigungsstrom | 800mA |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 820nH, ±20%, Rated current: 700mA, Saturation current: 800mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |