Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW21HNR82J00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.82μH, Nennstrom 125mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.34Ω Max, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW21HNR82J00L.
LQW21HNR82J00L hat eine Induktivität von 0.82μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW21HNR82J00L ist für 125mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW21HNR82J00L hat einen DC-Widerstand von 2.34Ω Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW21HNR82J00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 0.82μH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 125mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.34Ω Max |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 35 Min @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 480MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10MHz |