Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW2BAS8N2G00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2nH, Nennstrom 600mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mΩ, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW2BAS8N2G00L.
LQW2BAS8N2G00L hat eine Induktivität von 8.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW2BAS8N2G00L ist für 600mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW2BAS8N2G00L hat einen DC-Widerstand von 120mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW2BAS8N2G00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 600mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 8.2nH, ±2%, Rated current: 600mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |