Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW2BASR82J00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820nH, Nennstrom 180mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.35Ω, Gehäusegröße 0805. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW2BASR82J00L.
LQW2BASR82J00L hat eine Induktivität von 820nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW2BASR82J00L ist für 180mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW2BASR82J00L hat einen DC-Widerstand von 2.35Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW2BASR82J00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 180mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.35Ω |
| Gehäuse / Größe | 0805 |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 820nH, ±5%, Rated current: 180mA, Case: 0805 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |