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LQW2UAS4R7J00L/BKN

muRata

1008
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW2UAS4R7J00L/BKN von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7uH, Nennstrom 260mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4Ω, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7uH
Nennstrom
260mA
DC-Widerstand (DCR)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW2UAS4R7J00L/BKN.

Induktivität
4.7uH

LQW2UAS4R7J00L/BKN hat eine Induktivität von 4.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
260mA

LQW2UAS4R7J00L/BKN ist für 260mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)

LQW2UAS4R7J00L/BKN hat einen DC-Widerstand von 4Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008

LQW2UAS4R7J00L/BKN verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.9.2026
Induktivität4.7uH
Toleranz±5%
Nennstrom260mA
DC-Widerstand (DCR)
Gehäuse / Größe1008
Gehäuse / Ausführung1008
LieferantmuRata
BeschreibungChip Inductor, 4.7uH, ±5%, Rated current: 260mA, Case: 1008
Typ / AufbauChip Inductor

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