Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW2UAS56NG00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56nH, Nennstrom 1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 180mΩ, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW2UAS56NG00L.
LQW2UAS56NG00L hat eine Induktivität von 56nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW2UAS56NG00L ist für 1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW2UAS56NG00L hat einen DC-Widerstand von 180mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW2UAS56NG00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 56nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 1A |
| DC-Widerstand (DCR) | 180mΩ |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 56nH, ±2%, Rated current: 1A, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |