Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW2UASR75G00L von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 750nH, Nennstrom 360mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.54Ω, Gehäusegröße 1008. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW2UASR75G00L.
LQW2UASR75G00L hat eine Induktivität von 750nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW2UASR75G00L ist für 360mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW2UASR75G00L hat einen DC-Widerstand von 1.54Ω. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LQW2UASR75G00L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQW2UASR75G00L weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 750nH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 360mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.54Ω |
| Gehäuse / Größe | 1008 |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 750nH, ±2%, Rated current: 360mA, Case: 1008 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |