Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW32FT2R2M0HL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 1A, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW32FT2R2M0HL.
LQW32FT2R2M0HL hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW32FT2R2M0HL ist für 1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW32FT2R2M0HL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LQW32FT2R2M0HL weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1A |
| Sättigungsstrom | 1A |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Power Inductor, 2.2uH, ±20%, Rated current: 1A, Saturation current: 1A, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Power Inductor |