Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LQW32FT2R7M0HL von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7uH, Nennstrom 975mA, Gehäusegröße 1210. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LQW32FT2R7M0HL.
LQW32FT2R7M0HL hat eine Induktivität von 2.7uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LQW32FT2R7M0HL ist für 975mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LQW32FT2R7M0HL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.7uH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 975mA |
| Sättigungsstrom | 975mA |
| Gehäuse / Größe | 1210 |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.7uH, ±20%, Rated current: 975mA, Saturation current: 975mA, Case: 1210 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |