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LSANB2016KKT2R2M

LSANB2016KKT2R2M

Taiyo Yuden

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.5A 160 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.5 A
DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSANB2016KKT2R2M.

Induktivität
2.2 µH

LSANB2016KKT2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5 A

LSANB2016KKT2R2M ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
160mOhm Max

LSANB2016KKT2R2M hat einen DC-Widerstand von 160mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

LSANB2016KKT2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 16.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.5 A
DC-Widerstand (DCR)160mOhm Max
Sättigungsstrom1.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.5A 160 MOHM
SerieLSAN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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