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LSANB2016KKTR68M

LSANB2016KKTR68M

Taiyo Yuden

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 680NH 2.5A 65 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
2.5 A
DC-Widerstand (DCR)
65mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSANB2016KKTR68M.

Induktivität
680 nH

LSANB2016KKTR68M hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.5 A

LSANB2016KKTR68M ist für 2.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
65mOhm Max

LSANB2016KKTR68M hat einen DC-Widerstand von 65mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

LSANB2016KKTR68M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±20%
Nennstrom2.5 A
DC-Widerstand (DCR)65mOhm Max
Sättigungsstrom2.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 680NH 2.5A 65 MOHM SMD
SerieLSAN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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