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LSANB2520MKTR68M

LSANB2520MKTR68M

Taiyo Yuden

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 680NH 3.2A 48 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
3.2 A
DC-Widerstand (DCR)
48mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSANB2520MKTR68M.

Induktivität
680 nH

LSANB2520MKTR68M hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.2 A

LSANB2520MKTR68M ist für 3.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
48mOhm Max

LSANB2520MKTR68M hat einen DC-Widerstand von 48mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

LSANB2520MKTR68M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±20%
Nennstrom3.2 A
DC-Widerstand (DCR)48mOhm Max
Sättigungsstrom3.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 680NH 3.2A 48 MOHM SMD
SerieLSAN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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