Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSEUC3225HKT1R0M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 4.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 43mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSEUC3225HKT1R0M.
LSEUC3225HKT1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LSEUC3225HKT1R0M ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LSEUC3225HKT1R0M hat einen DC-Widerstand von 43mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LSEUC3225HKT1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 43mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 4.2A 43 MOHM SMD |
| Serie | LSEU |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.031" (0.80mm) |
