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LSQBA201616T2R2M

LSQBA201616T2R2M

Taiyo Yuden

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 375MA 130 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
375 mA
DC-Widerstand (DCR)
130mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQBA201616T2R2M.

Induktivität
2.2 µH

LSQBA201616T2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
375 mA

LSQBA201616T2R2M ist für 375 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
130mOhm

LSQBA201616T2R2M hat einen DC-Widerstand von 130mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

LSQBA201616T2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom375 mA
DC-Widerstand (DCR)130mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 375MA 130 MOHM
SerieLSQB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz70MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)
Merkmale-

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