Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSQBA201616T680K von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 µH, Nennstrom 55 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3Ohm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQBA201616T680K.
LSQBA201616T680K hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LSQBA201616T680K ist für 55 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LSQBA201616T680K hat einen DC-Widerstand von 3Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LSQBA201616T680K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 68 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 55 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3Ohm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 68UH 55MA 3 OHM SMD |
| Serie | LSQB |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 10MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |
