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LSQMB201616T3R9J

LSQMB201616T3R9J

Taiyo Yuden

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSQMB201616T3R9J von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Nennstrom 275 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 740mOhm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
275 mA
DC-Widerstand (DCR)
740mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQMB201616T3R9J.

Induktivität
3.9 µH

LSQMB201616T3R9J hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
275 mA

LSQMB201616T3R9J ist für 275 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
740mOhm

LSQMB201616T3R9J hat einen DC-Widerstand von 740mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

LSQMB201616T3R9J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±5%
Nennstrom275 mA
DC-Widerstand (DCR)740mOhm
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 275MA 740 MOHM
SerieLSQM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz30 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz43MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)

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