
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSQMB201616T820J von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 µH, Nennstrom 85 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.7Ohm, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQMB201616T820J.
LSQMB201616T820J hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LSQMB201616T820J ist für 85 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LSQMB201616T820J hat einen DC-Widerstand von 7.7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LSQMB201616T820J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 85 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 7.7Ohm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 82UH 85MA 7.7 OHM SMD |
| Serie | LSQM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Semi-Shielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 10MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.071" (1.80mm) |

