Meine Favoriten
LSQNA201212T101M

LSQNA201212T101M

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSQNA201212T101M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 60 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 9.1Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
60 mA
DC-Widerstand (DCR)
9.1Ohm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQNA201212T101M.

Induktivität
100 µH

LSQNA201212T101M hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
60 mA

LSQNA201212T101M ist für 60 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
9.1Ohm Max

LSQNA201212T101M hat einen DC-Widerstand von 9.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

LSQNA201212T101M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von LSQNA201212T101M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 16.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±20%
Nennstrom60 mA
DC-Widerstand (DCR)9.1Ohm Max
Sättigungsstrom60mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 100UH 60MA 9.1 OHM SMD
SerieLSQN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Eigenresonanzfrequenz8MHz
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)