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LSXND5050WDL4R7MMG

LSXND5050WDL4R7MMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 2A 66 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
66mOhm Max
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSXND5050WDL4R7MMG.

Induktivität
4.7 µH

LSXND5050WDL4R7MMG hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

LSXND5050WDL4R7MMG ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
66mOhm Max

LSXND5050WDL4R7MMG hat einen DC-Widerstand von 66mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LSXND5050WDL4R7MMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)66mOhm Max
Sättigungsstrom2.7A
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 2A 66 MOHM SMD
SerieLSXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz37MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)
Merkmale-

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