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LSXND5050WKT3R3NMG

LSXND5050WKT3R3NMG

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 2.4A 57.6 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
2.4 A
DC-Widerstand (DCR)
57.6mOhm Max
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSXND5050WKT3R3NMG.

Induktivität
3.3 µH

LSXND5050WKT3R3NMG hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.4 A

LSXND5050WKT3R3NMG ist für 2.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
57.6mOhm Max

LSXND5050WKT3R3NMG hat einen DC-Widerstand von 57.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LSXND5050WKT3R3NMG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±30%
Nennstrom2.4 A
DC-Widerstand (DCR)57.6mOhm Max
Sättigungsstrom2.4A
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 2.4A 57.6 MOHM
SerieLSXN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz46MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.079" (2.00mm)
Merkmale-

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