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MCL2012A4R7MT

MCL2012A4R7MT

Sunlord

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 850MA 300 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MCL2012A4R7MT.

Induktivität
4.7 µH

MCL2012A4R7MT hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

MCL2012A4R7MT ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm

MCL2012A4R7MT hat einen DC-Widerstand von 300mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MCL2012A4R7MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)300mOhm
Sättigungsstrom180mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 850MA 300 MOHM
SerieMCL-A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz50MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)
Merkmale-

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