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MCQ1V3216-4R7-R

MCQ1V3216-4R7-R

Eaton - Electronics Division

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MCQ1V3216-4R7-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 25 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 650mOhm Max, Gehäusegröße 1206 (3216 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
25 mA
DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MCQ1V3216-4R7-R.

Induktivität
4.7 µH

MCQ1V3216-4R7-R hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
25 mA

MCQ1V3216-4R7-R ist für 25 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
650mOhm Max

MCQ1V3216-4R7-R hat einen DC-Widerstand von 650mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

MCQ1V3216-4R7-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom25 mA
DC-Widerstand (DCR)650mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 25MA 650 MOHM
SerieMCQ1V3216
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz35MHz
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1206
Höhe - sitzend (max.)0.043" (1.10mm)

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