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MDH12577C-6R8NA=P3

muRata

SMD,12.8x12.5mm

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MDH12577C-6R8NA=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 4.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 12 mOhm ±30%, Gehäusegröße SMD,12.8x12.5mm. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
4.8 A
DC-Widerstand (DCR)
12 mOhm ±30%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MDH12577C-6R8NA=P3.

Induktivität
6.8 µH

MDH12577C-6R8NA=P3 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.8 A

MDH12577C-6R8NA=P3 ist für 4.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12 mOhm ±30%

MDH12577C-6R8NA=P3 hat einen DC-Widerstand von 12 mOhm ±30%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,12.8x12.5mm

MDH12577C-6R8NA=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,12.8x12.5mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.8 A
DC-Widerstand (DCR)12 mOhm ±30%
Sättigungsstrom8.6 A Max
Gehäuse / GrößeSMD,12.8x12.5mm
Gehäuse / AusführungSMD,12.8x12.5mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, ±30%, Case: SMD,12.8x12.5mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz