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MDH7045C-2R2NB=P3

muRata

SMD,7.4x7mm
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MDH7045C-2R2NB=P3 von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2uH, Nennstrom 4.1A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13 mOhm ±30%, Gehäusegröße SMD,7.4x7mm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2uH
Nennstrom
4.1A
DC-Widerstand (DCR)
13 mOhm ±30%

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MDH7045C-2R2NB=P3.

Induktivität
2.2uH

MDH7045C-2R2NB=P3 hat eine Induktivität von 2.2uH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.1A

MDH7045C-2R2NB=P3 ist für 4.1A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13 mOhm ±30%

MDH7045C-2R2NB=P3 hat einen DC-Widerstand von 13 mOhm ±30%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
SMD,7.4x7mm

MDH7045C-2R2NB=P3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von SMD,7.4x7mm. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.2uH
Toleranz±30%
Nennstrom4.1A
DC-Widerstand (DCR)13 mOhm ±30%
Sättigungsstrom5.8A
Gehäuse / GrößeSMD,7.4x7mm
Gehäuse / AusführungSMD,7.4x7mm
LieferantmuRata
BeschreibungPower Inductor, 2.2uH, ±30%, Rated current: 4.1A, Saturation current: 5.8A, Case: SMD,7.4x7mm
Typ / AufbauPower Inductor
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz

Vorschau

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