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MGAH10056R8M-10

MGAH10056R8M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 8.5A 18.5 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
8.5 A
DC-Widerstand (DCR)
18.5mOhm Max
Abmessungen
0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGAH10056R8M-10.

Induktivität
6.8 µH

MGAH10056R8M-10 hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8.5 A

MGAH10056R8M-10 ist für 8.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
18.5mOhm Max

MGAH10056R8M-10 hat einen DC-Widerstand von 18.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGAH10056R8M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom8.5 A
DC-Widerstand (DCR)18.5mOhm Max
Sättigungsstrom14A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 8.5A 18.5 MOHM
SerieMGAH1005
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.201 (5.10mm)
Merkmale-

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