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MGCI0603Q0N6BT-LF

MGCI0603Q0N6BT-LF

Microgate Technology

0201 (0603 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603Q0N6BT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 0.6 nH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
0.6 nH
Nennstrom
850 mA
DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603Q0N6BT-LF.

Induktivität
0.6 nH

MGCI0603Q0N6BT-LF hat eine Induktivität von 0.6 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
850 mA

MGCI0603Q0N6BT-LF ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
60mOhm Max

MGCI0603Q0N6BT-LF hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MGCI0603Q0N6BT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität0.6 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom850 mA
DC-Widerstand (DCR)60mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 0.6 NH 850 MA 0.06 OHM
SerieMGCI0603Q
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz24 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz20GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.012 (0.30mm)

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