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MGCI0603Q1N2BT-LF

MGCI0603Q1N2BT-LF

Microgate Technology

0201 (0603 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603Q1N2BT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 nH, Nennstrom 750 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
750 mA
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603Q1N2BT-LF.

Induktivität
1.2 nH

MGCI0603Q1N2BT-LF hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
750 mA

MGCI0603Q1N2BT-LF ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

MGCI0603Q1N2BT-LF hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MGCI0603Q1N2BT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom750 mA
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 1.2 NH 750 MA 0.1 OHM
SerieMGCI0603Q
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz19 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz17GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.012 (0.30mm)

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