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MGCI0603Q22NHT-LF

MGCI0603Q22NHT-LF

Microgate Technology

0201 (0603 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603Q22NHT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.2Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603Q22NHT-LF.

Induktivität
22 nH

MGCI0603Q22NHT-LF hat eine Induktivität von 22 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

MGCI0603Q22NHT-LF ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm Max

MGCI0603Q22NHT-LF hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MGCI0603Q22NHT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität22 nH
Toleranz±3%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 22 NH 150 MA 1.2 OHM
SerieMGCI0603Q
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz2.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.012 (0.30mm)

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