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MGCI0603Q2N0BT-LF

MGCI0603Q2N0BT-LF

Microgate Technology

0201 (0603 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603Q2N0BT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2 nH, Nennstrom 600 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2 nH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603Q2N0BT-LF.

Induktivität
2 nH

MGCI0603Q2N0BT-LF hat eine Induktivität von 2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

MGCI0603Q2N0BT-LF ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max

MGCI0603Q2N0BT-LF hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MGCI0603Q2N0BT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 2 NH 600 MA 0.15 OHM
SerieMGCI0603Q
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz17 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz12.5GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.012 (0.30mm)

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