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MGCI0603Q68NJT-LF

MGCI0603Q68NJT-LF

Microgate Technology

0201 (0603 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603Q68NJT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 nH, Nennstrom 100 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.2Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
68 nH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max
Abmessungen
0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603Q68NJT-LF.

Induktivität
68 nH

MGCI0603Q68NJT-LF hat eine Induktivität von 68 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

MGCI0603Q68NJT-LF ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.2Ohm Max

MGCI0603Q68NJT-LF hat einen DC-Widerstand von 3.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0201 (0603 Metric)

MGCI0603Q68NJT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität68 nH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)3.2Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm)
Gehäuse / Größe0201 (0603 Metric)
Gehäuse / Ausführung0201 (0603 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 68 NH 100 MA 3.2 OHM
SerieMGCI0603Q
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz1.2GHz
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0201
Höhe - sitzend (max.)0.012 (0.30mm)

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