Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI0603QR10JT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4Ohm Max, Gehäusegröße 0201 (0603 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI0603QR10JT-LF.
MGCI0603QR10JT-LF hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGCI0603QR10JT-LF ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGCI0603QR10JT-LF hat einen DC-Widerstand von 4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGCI0603QR10JT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0201 (0603 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 80 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 4Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.024 L x 0.012 W (0.60mm x 0.30mm) |
| Gehäuse / Größe | 0201 (0603 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0201 (0603 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 100 NH 80 MA 4 OHM |
| Serie | MGCI0603Q |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 12 @ 500MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 500 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0201 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.012 (0.30mm) |
