Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGFL2012F1R0MT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.0 μH, Nennstrom 1400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.15 Ω ±30%, Gehäusegröße 2012 Metric. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGFL2012F1R0MT-LF.
MGFL2012F1R0MT-LF hat eine Induktivität von 1.0 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGFL2012F1R0MT-LF ist für 1400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGFL2012F1R0MT-LF hat einen DC-Widerstand von 0.15 Ω ±30%. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGFL2012F1R0MT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2012 Metric. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.0 μH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1400 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.15 Ω ±30% |
| Betriebstemperatur | -55℃ ~ +125℃ |
| Abmessungen | 0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 2012 Metric |
| Gehäuse / Ausführung | 2012 Metric |
| Beschreibung | Multilayer chip ferrite inductor, 1.0 μH ±20%, 1400 mA |
| Serie | MGFL2012F |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite (Ni-Cu-Zn) |
| Eigenresonanzfrequenz | 75 MHz Min |
| Zulassungen / Bewertungen | UL 94V-1 (Flammability) |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.037 (0.95mm) |
| Merkmale | High Current |