Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC050507U-R08M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 80 nH, Nennstrom 50 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC050507U-R08M-LF.
MGHC050507U-R08M-LF hat eine Induktivität von 80 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGHC050507U-R08M-LF ist für 50 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGHC050507U-R08M-LF hat einen DC-Widerstand von 250mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGHC050507U-R08M-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 50 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 250mOhm |
| Sättigungsstrom | 50A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.205 L x 0.205 W (5.20mm x 5.20mm) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 80NH 50A 0.25 MOHM |
| Serie | MGHC050507U |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Magnetic Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MH |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 2020 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.256 (6.50mm) |
| Merkmale | High Current |
