Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGHC120712T2-R10L-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 62 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 190mOhm. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGHC120712T2-R10L-LF.
MGHC120712T2-R10L-LF hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGHC120712T2-R10L-LF ist für 62 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGHC120712T2-R10L-LF hat einen DC-Widerstand von 190mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGHC120712T2-R10L-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 4828. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 62 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 190mOhm |
| Sättigungsstrom | 109A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.472 L x 0.276 W (12.00mm x 7.00mm) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 109A 0.19 MOHM |
| Serie | MGHC120712T2 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Magnetic Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 4828 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.472 (12.00mm) |
| Merkmale | High Current |
