Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0805C3N0_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0805C3N0_ST.
MGTC0805C3N0_ST hat eine Induktivität von 3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGTC0805C3N0_ST ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGTC0805C3N0_ST hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGTC0805C3N0_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 nH |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.081 L x 0.053 W (2.08mm x 1.35mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 3 NH 800 MA 0.06 OHM |
| Serie | MGTC0805C |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 1.5GHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 7.9GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.052 (1.31mm) |
