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MGTC1008CW102_ST

MGTC1008CW102_ST

Microgate Technology

1008 (2520 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1008CW102_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 370 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.75Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
370 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm Max
Abmessungen
0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1008CW102_ST.

Induktivität
1 µH

MGTC1008CW102_ST hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
370 mA

MGTC1008CW102_ST ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.75Ohm Max

MGTC1008CW102_ST hat einen DC-Widerstand von 1.75Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

MGTC1008CW102_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität1 µH
Nennstrom370 mA
DC-Widerstand (DCR)1.75Ohm Max
Sättigungsstrom370mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 1000 NH 370 MA 1.75 OH
SerieMGTC1008CW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz35 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz290MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)

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