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MGTC1008CW261_ST

MGTC1008CW261_ST

Microgate Technology

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1008CW261_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 260 nH, Nennstrom 500 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 910mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
260 nH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
910mOhm Max
Abmessungen
0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1008CW261_ST.

Induktivität
260 nH

MGTC1008CW261_ST hat eine Induktivität von 260 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

MGTC1008CW261_ST ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
910mOhm Max

MGTC1008CW261_ST hat einen DC-Widerstand von 910mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

MGTC1008CW261_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität260 nH
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)910mOhm Max
Sättigungsstrom500mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 260 NH 500 MA 0.91 OHM
SerieMGTC1008CW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz600MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)

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