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MGTC1008CW561_ST

MGTC1008CW561_ST

Microgate Technology

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1008CW561_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.33Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm Max
Abmessungen
0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1008CW561_ST.

Induktivität
560 nH

MGTC1008CW561_ST hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

MGTC1008CW561_ST ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm Max

MGTC1008CW561_ST hat einen DC-Widerstand von 1.33Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

MGTC1008CW561_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität560 nH
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)1.33Ohm Max
Sättigungsstrom400mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 560 NH 400 MA 1.33 OHM
SerieMGTC1008CW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz415MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)

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