Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1008CW820_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 220mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1008CW820_ST.
MGTC1008CW820_ST hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGTC1008CW820_ST ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGTC1008CW820_ST hat einen DC-Widerstand von 220mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGTC1008CW820_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 220mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 82 NH 1000 MA 0.22 OHM |
| Serie | MGTC1008CW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 350MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 50 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.088 (2.23mm) |
