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MGTC1008CW822_ST

MGTC1008CW822_ST

Microgate Technology

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1008CW822_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 170 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10.7Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
170 mA
DC-Widerstand (DCR)
10.7Ohm Max
Abmessungen
0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1008CW822_ST.

Induktivität
8.2 µH

MGTC1008CW822_ST hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
170 mA

MGTC1008CW822_ST ist für 170 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10.7Ohm Max

MGTC1008CW822_ST hat einen DC-Widerstand von 10.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

MGTC1008CW822_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität8.2 µH
Nennstrom170 mA
DC-Widerstand (DCR)10.7Ohm Max
Sättigungsstrom170mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.114 L x 0.109 W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 8200 NH 170 MA 10.7 OH
SerieMGTC1008CW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz18 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz25MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)

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