Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1210CR82_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 400 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1210CR82_ST.
MGTC1210CR82_ST hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGTC1210CR82_ST ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGTC1210CR82_ST hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGTC1210CR82_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Nennstrom | 400 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 820 NH 400 MA 2 OHM |
| Serie | MGTC1210C |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 150MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 370MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 35 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106 (2.70mm) |
