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MGV0502R68M-10

MGV0502R68M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 680NH 10A 12.4 MOHM

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
10 A
DC-Widerstand (DCR)
12.4mOhm Max
Abmessungen
0.217 L x 0.201 W (5.50mm x 5.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV0502R68M-10.

Induktivität
680 nH

MGV0502R68M-10 hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10 A

MGV0502R68M-10 ist für 10 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12.4mOhm Max

MGV0502R68M-10 hat einen DC-Widerstand von 12.4mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGV0502R68M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±20%
Nennstrom10 A
DC-Widerstand (DCR)12.4mOhm Max
Sättigungsstrom15A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.217 L x 0.201 W (5.50mm x 5.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 680NH 10A 12.4 MOHM
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.091 (2.30mm)
Merkmale-

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