Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGV1203R10M-10 von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 43 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.96mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV1203R10M-10.
MGV1203R10M-10 hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGV1203R10M-10 ist für 43 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGV1203R10M-10 hat einen DC-Widerstand von 0.96mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGV1203R10M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 43 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.96mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 84A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.531 L x 0.496 W (13.50mm x 12.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 43A 0.96 MOHM |
| Serie | MGV |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0404 (1010 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.150 (3.80mm) |
